ТОМ 50,   №5

Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 3. Моделирование МДП-структур



Автор:  Абрамов И. И., Харитонов В. В.
Стр:  845

Абрамов И. И., Харитонов В. В. .  Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 3. Моделирование МДП-структур // Инженерно-физический журнал. . ТОМ 50, №5. С. 845.


Возврат к списку