ДВУХСТОРОННЕ-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ФОТОДИОДНЫЕ СТРУКТУРЫ В СИСТЕМЕ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ-СУЛЬФИД КАДМИЯ

Экспериментально показано, что в двухбарьерной фотодиодной структуре с общей модулируемой базовой областью спектральные характеристики для случаев запираемых р-n-гетеро-(pGaAs-nCdS) и металлополупроводникового (м-pGaAs) переходов могут иметь идентичный вид, где механизм формирования определяется процессами, происходящими в областях объемного заряда, расположенных преимущественно в общей (pGaAs) области.

Автор:  К. Вахобов, А. В. Каримов, А. Г. Гаибов, Д. М. Едгорова, Х. Т. Игамбердиев
Стр:  167