РАСЧЕТ ПОЛЕЙ НАПРЯЖЕНИЙ У ПОЛИСИНТЕТИЧЕСКОГО ДВОЙНИКА, НАХОДЯЩЕГОСЯ У ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛА

Без использования приближения тонкого двойника, при допущении непрерывного распределения дислокаций на границах разработана методика расчета полей напряжений у полисинтетического двойника, находящегося у поверхности кристалла. Показано, что напряжения у полисинтетического двойника локализованы на границах и у вершин входящих в его состав двойников. Приведены примеры расчетов скалывающих напряжений у полисинтетического двойника с прямолинейными и криволинейными границами, при равномерном и неравномерном распределении дислокаций на границах.
Автор:  О. М. Остриков
Стр:  184