ОСОБЕННОСТИ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ В ДВУХПОЛЮСНОМ РЕЖИМЕ ИЗМЕРЕНИЯ

Приведены результаты экспериментального исследования температурной чувствительности отдельного перехода база–коллектор биполярной транзисторной структуры и этой структуры при последовательном соединении запираемого эмиттерного и коллекторного переходов. Показано, что коэффициент температурной чувствительности транзисторной структуры, работающей в двухполюсном режиме измерения, на порядок больше, чем аналогичный коэффициент перехода база–коллектор.
Автор:  Каримов А. В., Джураев Д. Р., Кулиев Ш. М., Тураев А. А.
Ключевые слова:  биполярный транзистор, датчик температуры, температурная чувствительность, двух - полюсный режим
Стр:  497