УДК 621.3.049.77.621.373.826

В. А. Пилипенко, В. Н. Пономарь, В. А. Горушко

УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТИВНЫХ МАСОК С ПРИМЕНЕНИЕМ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ

Проведен анализ основных методов удаления фоторезистов, 
используемых в микроэлектронике. Исследована возможность применения 
для этих целей быстрой термической обработки и представлены результаты 
анализа поверхности кремния и алюминия после снятия фоторезиста. Все 
результаты рассмотрены в сопоставлении с традиционными методами удаления 
фоторезистов, применяемыми в технологии создания сверхбольших интегральных 
схем.

Научно-производственное объединение "Интеграл". Беларусь, 
220064, г. Минск, ул. Корженевского, 12; э-почта: belms@belms.belpak.minsk.by. 
Поступила 24.03.2003.