Автор: Подрябинкин Д. А.
Переключение сопротивления наноструктуры резистивной памяти с парамагнитным оксидом гафния / Подрябинкин Д. А. // Фуллерены и наноструктуры в конденсированных средах: сб. науч. тр. – Минск : Институт
тепло- и массообмена имени А. В. Лыкова НАН Беларуси