УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ВЫРАЩИВАНИЯ НАНОГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ

Выявлены недостатки в оборудовании и технологических подходах проведения процессов выращивания наногетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками методом жидкофазной эпитаксии. Разработана и изготовлена новая барабанная кассета вертикального типа, позволяющая выращивать квантовые точки и эпитаксиальные слои различных толщин в одном технологическом процессе. Проведено физико-математическое моделирование процессов выращивания квантоворазмерных структур жидкофазной эпитаксией с помощью программного продукта SolidWorks (программа FlowSimulation). Анализ позволил определить наличие негативных факторов, влияющих на процесс выращивания указанных структур. Проведена оптимизация математической модели и модернизация оборудования без дополнительных опытов и измерений. Исследована динамика потоков течения технологического газа в реакторе при различных расходах. Разработана методика проведения и осуществлена настройка теплового оборудования. Расчетные и экспериментальные распределения температур в процессе выращивания структур с высокой воспроизводимостью находятся в хорошем согласии, что подтверждает правильность проведенной модернизации.
  Автор:  И. И. Марончук, Д. Д. Саникович, П. В. Потапков, А. А. Вельченко
Ключевые слова:  жидкофазная эпитаксия, импульсное охлаждение, наногетероэпитаксиальные структуры, квантовые точки, германий, кремний, подложка, поверхность, солнечный элемент
Стр:  518