УДК 621.315.592

Ш. Ш. Рашидова

РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В МОНОКРИСТАЛЛАХ
InP, ОБЛУЧЕННЫХ ГАММА-КВАНТАМИ 60Со

Методом радиотермолюминесценции исследован процесс образования 
антиструктурных дефектов в кристаллах легированного оловом InP, подвергнутых 
облучению гамма-квантами дозой 10-100 кГр. Обнаружено, что энергия 
активации уровня 0.26 эВ благоприятствует получению полуизолирующего 
фосфида индия.

Ключевые слова: антиструктурный дефект, метод радиотермолюминесценции, 
энергия активации.

Институт физики НАН Азербайджана. Az-1143. г. Баку, просп. 
Г. Джавида, 33. э-почта: sh.sh.rashidova@gmail.com. 
Поступила 18.02.2010.