УДК 536.421

А. В. Жданов1), А. В. Бородин2), 
М. В. Юдин2)

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ПОЛЯ В ТОНКИХ ШИРОКОПРОФИЛЬНЫХ ПЛАСТИНАХ, ПОЛУЧАЕМЫХ ИЗ РАСПЛАВА СПОСОБОМ СТЕПАНОВА, В НЕСИММЕТРИЧНЫХ УСЛОВИЯХ РОСТА
Предложена математическая модель, позволяющая определить температурные поля в тонких широкопрофильных пластинах при выращивании их из расплава способом Степанова в зависимости от несимметрии расположения выращиваемого кристалла относительно окружающих экранов, а также и от разницы температур поверхностей левого и правого экранов. В описание модели входят уравнение теплопроводности и система интегральных уравнений, связывающая плотности потоков излучений и температур. Ключевые слова: способ Степанова, температурные поля, теплообмен излучением. 1)Институт физики твердого тела РАН. 142432, Московская обл., г. Черноголовка; э-почта: zhdan@issp.ac.ru; 2)Федеральное государственное унитарное предприятие экспериментальный завод Академии наук. Россия, 142432, Московская обл., г.Черноголовка, ул. Академика Семенова, 9. Поступила 30.06.2009.