УДК 621.383.4/5.029.674:621.315.592.2

Д. М. Ёдгорова

ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ НА ТОКОВЫЕ
И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУКТУР С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ

Изучено влияние толщины базовой области с глубокими примесными 
уровнями на фотоэлектрические характеристики диодной (Ag-nGaAs-n+GaAs) 
структуры с барьером Шоттки. При освещении интегральным светом с 
макс = 0.55 мкм обнаружено уменьшение обратного 
светового тока (гашение) по сравнению с темновым в одних структурах 
и его превалирование при прямых смещениях в других. Уменьшение светового 
тока объясняется особенностями захвата световых носителей и их рекомбинацией 
с темновыми носителями, когда падение напряжения на барьере Шоттки 
превосходит значение в базовой области и, наоборот, увеличение светового 
тока - большим падением напряжения в базовой области.

Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН 
Республики Узбекистан. 700084, г. Ташкент, ул. Мавлянова, 2б. 
Поступила 21.07.2005, в окончательной редакции - 27.06.2006.