УДК 621.315.592

Д. М. Ёдгорова, Ф. М. Ашрапов

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МИКРОСЛОЙНЫХ
ФОТОДИОДНЫХ pAlGaInAs(Zn)-nGaAs-Au-СТРУКТУР

Исследованы фотоэлектрические характеристики фотодиодных 
pAlGaInAs(Zn)-nGaAs-Au-структур. Экспериментально показано, 
что благодаря включению потенциального барьера nGaAs-Au навстречу 
к гетеропереходу (p(Al0.08Ga0.82)0.9In0.1As-nGaAs) 
обеспечивается внутреннее фотоэлектрическое усиление. В режиме 
прямого смещения p-n-перехода p(Al0.08Ga0.82)0.9In0.1As-nGaAs-Au-структура 
работает как инжекционный фотодиод, а в режиме обратного смещения 
p-n-перехода - как фотодиод. Изучено влияние областей обеднения 
базовой области, содержащей глубокие примесные центры, на фоточувствительность 
и спектральный диапазон.

Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН Республики 
Узбекистан. 700084, г. Ташкент, ул. Мавлянова, 2б. Поступила 03.06.2005, 
в окончательной редакции - 03.04.2006.