УДК 621.315.592

К. Вахобов1), А. В. Каримов1), 
А. Г. Гаибов1), Д. М. Едгорова1), 
Х. Т. Игамбердиев2)

ДВУХСТОРОННЕ-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ФОТОДИОДНЫЕ СТРУКТУРЫ
В СИСТЕМЕ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ-СУЛЬФИД КАДМИЯ

Экспериментально показано, что в двухбарьерной фотодиодной 
структуре с общей модулируемой базовой областью спектральные характеристики 
для случаев запираемых р-n-гетеро-(pGaAs-nCdS) и металлополупроводникового 
(м-pGaAs) переходов могут иметь идентичный вид, где механизм формирования 
определяется процессами, происходящими в областях объемного заряда, 
расположенных преимущественно в общей (pGaAs) области.

1)Ташкентский государственный технический университет; 
2)Отдел теплофизики АН Республики Узбекистан, г. Ташкент. Поступила 
11.12.2001, в окончательной редакции - 17.07.2002.