УДК 621.791.927.55 А. М. ДубасовТЕПЛОВЫЕ ПОЛЯ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ЧАСТИЦЫ НАПЫЛЯЕМОГО ПОКРЫТИЯ
В одномерном приближении приводится аналитическое решение задачи теплопроводности о кристаллизации частицы на покрытии, напыляемом открытой струей на плоское основание (подложку). Начальная температура частицы равна температуре плавления ее материала. Покрытие рассматривается как многослойная пластина с толщиной слоев в одну закристаллизовавшуюся частицу-чешуйку, между слоями, а также покрытием и подложкой имеет место термическое сопротивление. Приводятся примеры расчета температур при кристаллизации частицы вблизи и вдали от подложки. Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва, э-почта: aDubasov@uandex.ru. Поступила 08.12.2000, в окончательной редакции - 23.02.2001. IFZH7492020018 IFZH749208