УДК 621.3.049.77.002

С. П. Жвавый , Г. Д. Ивлев , В. А. Пилипенко , В. Н. Пономарь

ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРНО-ВРЕМЕННЫХ ПАРАМЕТРОВ ТЕРМООБРАБОТКИ НА ПРОЦЕСС ПЛАНАРИЗАЦИИ РЕЛЬЕФА ПОВЕРХНОСТИ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР
Рассмотрен процесс оплавления фосфоросиликатного и борофосфоросиликатного стекла при планаризации поверхности интегральных микросхем в условиях как изотермической, так и импульсной термообработки. Получено выражение для расчета угла оплавления ступеньки рельефа в зависимости от концентрации легирующих примесей в стекле, времени и температуры термообработки. Институт электроники НАН Беларуси, г. Минск. Поступила 05.05.2000. IFZH7492020014 IFZH749204